一、原子層沉積系統技術參數：

1.腔體材質：全鋁鋁質腔體；

2.樣品臺尺寸：處理最大直徑6英寸樣品；

3.基片加熱溫度：室溫~315℃±1℃；

4.液體源：一路高蒸氣壓液體氧化劑（H2O或H2O2），3路固體或液體金屬源；

5.可變過程壓力控制0.1至1.5Torr；

6.ALD閥：Swagelok快速高溫ALD專用閥；

7.載氣系統：N2，壓力30Psi；

8.生長模式：連續(xù)和停留沉積模式任意選擇；

9.控制系統：16位7英寸彩色觸摸屏PLC操作控制；

10.4個世偉洛克熱敏ALD閥門；

11.5個高溫劑量容積填充閥；

12.帶輔助彎頭加熱器的保形加熱套，操作溫度室溫至150℃；

13.帶閥門的50ccSS前體瓶，波紋管密封高溫兼容閥;

14.Fujikin金屬密封，200sccmMFC流量質量控制器，用于N2或Ar吹掃流量控制；

15.基于雙溫探頭的腔室加熱器控制系統和探頭故障保險；

16.OEM 2級旋轉葉片泵，抽速18 cfm，極限真空3mtorr，包括Flomblin用于PFPE油；

二、原子層沉積系統特點

精準控制：薄膜厚度可精確至亞納米級（0.1 ?/cycle），重復性誤差<1%。

高均勻性：在復雜3D結構（如納米線、多孔材料）表面實現均勻覆蓋。

低溫工藝：部分機型支持室溫至300℃以上，范圍沉積，兼容熱敏感基材（如聚合物、生物材料）。

前驅體兼容性：支持金屬有機化合物、鹵化物、等離子體增強（PEALD）等多種反應模式。

原位監(jiān)測：集成石英晶體微天平（QCM）、橢偏儀或光學反射儀，實時監(jiān)控薄膜生長。

三、原子層沉積系統應用領域

半導體制造：高介電材料（HfO?、Al?O?）、晶體管柵極、DRAM電容薄膜。

新能源：鋰離子電池電極包覆層、燃料電池催化劑涂層。

光電子器件：OLED封裝層、光伏器件鈍化層。

納米技術：量子點涂層、MEMS器件防水/防腐蝕膜。

生物醫(yī)療：生物傳感器表面功能化、植入器械抗菌涂層。

四、目前可以沉積的材料包括：

1）氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2

2）氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN

3）氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2

4）金屬: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni

5）碳化物: TiC, NbC, TaC  

6）復合結構材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx

7）硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS

五、提供售后服務安裝調試培訓；

原子層沉積（ALD）系統的售后服務致力于為客戶提供全面支持，包括設備安裝調試、操作培訓、技術咨詢及定期維護。我們的專業(yè)團隊確保設備高效運行，快速響應故障排查與維修需求，并提供備件更換和軟件升級服務，以延長設備壽命并保障生產效率?？蛻艨赏ㄟ^熱線或在線平臺隨時聯系我們，享受定制化的解決方案。